半導体圧力変換器

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-144016
公開番号（公開出願番号）：特開平9-325082
出願日： 1996年06月06日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：

【要約】【課題】溝の洗浄性を向上させると共に、同一の接合方法による接合を可能にする。【解決手段】第1の台座21を半導体圧力センサ4の熱膨張係数と近似した熱膨張係数を有する材料で形成し、この第1の台座21上に半導体圧力センサ4を陽極接合する。第2の台座22を半導体圧力センサ4と同一の半導体によって形成し、その上に第1の台座21を陽極接合する。また、第2の台座21の上面には、第1の台座21との接合部を形成する突起部23を設けると共に、井桁状の応力絶縁溝24を形成し、その溝端を台座側面に開放させる。

請求項（抜粋）：

中央部に凹部の形成によってダイアフラムが設けられ外周部が厚肉の固定部を形成する半導体圧力センサと、この半導体圧力センサの固定部が接合された第1の台座と、この第1の台座が接合された第2の台座と、この第2の台座が接合された支持台とを備え、前記ダイアフラムの表裏面に圧力を導くようにした半導体圧力変換器において、前記第1、第2の台座の互いに対向する面のうちいずれか一方の台座の対向面中央に突起部を突設し、この突起部を他方の台座の対向面に接合すると共に、これら両台座の互いに対向する面の少なくともいずれか一方に溝端が台座側面に開放する井桁状の応力絶縁溝を形成したことを特徴とする半導体圧力変換器。

IPC (2件)：

G01L 9/04 101 , H01L 29/84

FI (2件)：

G01L 9/04 101 , H01L 29/84 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭58-107680
特表平1-503002
流量センサおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-361695 出願人：株式会社フジクラ

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