特許
J-GLOBAL ID：200903080141386017
半導体素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-000704
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186332
出願日： 1995年01月06日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：
【要約】【目的】 GaN系化合物半導体層中におけるMg不純物の電気的活性化率を上げて高品質のp型層を形成することができ、高性能・短波長の半導体レーザ等の実現を可能とした半導体素子の製造方法を提供すること。【構成】 基板上に化合物半導体層を積層して半導体素子を製造する方法において、Mgを添加したGaN系化合物半導体層15,16上にMgを添加したAlNキャップ層17を形成したのち、GaN系化合物半導体層15,16に熱処理を施し、しかるのちAlNキャップ層17を除去することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
アクセプタを添加した窒化物系III-V族化合物半導体層上にアクセプタを添加したAlNキャップ層を形成する工程と、前記窒化物系III-V族化合物半導体層に熱処理を施す工程と、前記AlNキャップ層の少なくとも一部を除去する工程とを含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 21/205
, H01L 33/00
