特許
J-GLOBAL ID：200903080151169375
半導体記憶素子およびその製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
朝日奈 宗太 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-251915
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090602
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】 極薄膜酸化ケイ素膜を含むMNOS構造の半導体記憶素子における当該酸化ケイ素膜を容易にしかも均一に形成することができる半導体記憶素子およびその製法を提供する。【構成】 MNOS型半導体記憶素子の酸化膜に面する半導体結晶層の表面に炭化ケイ素層を形成して、該炭化ケイ素層を酸化させ酸化膜を形成することにより、炭化ケイ素の酸化レートの遅さにより、極薄の充分精度よく制御された酸化膜が形成された半導体記憶素子。
請求項（抜粋）：
金属膜、チッ化ケイ素膜、酸化ケイ素膜および半導体層からなるMNOS型半導体記憶素子であって、前記半導体層の少なくとも前記酸化ケイ素膜側に炭化ケイ素層が形成されてなることを特徴とする半導体記憶素子。
IPC (2件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
