特許

J-GLOBAL ID：200903080151912809

シリカ被膜形成用塗布液

発明者： 山本 昌樹 ,  石田 英明
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-030392
公開番号（公開出願番号）：特開平10-226767
出願日： 1997年02月14日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：

【要約】【課題】 クラックのない厚膜で、しかも下地を良好な密着性で平坦化するシリカ被膜を形成する。【解決手段】A.下記一般式で示されるハイドロトリアルコキシシラン 8〜30重量%HSi(OR1)a(OR2)b(OR3)c(式中、R1,R2,R3はC1〜4のアルキル基、a,b,cはいずれも0以上3以下の整数でかつa+b+c=3を示す)B.下記示性式で示されるポリアルコキシシランSiOd(OR4)e(式中、R4はメチル基またはエチル基、d,eは0.4≦d≦1.2, 3.2≧e≧1.6 を示す)C.沸点が100°C以上170°C以下の有機溶媒D.有機カルボン酸E.スルホン酸触媒を必須成分とし、かつA成分のハイドロトリアルコキシシランに対するB成分のポリアルコキシシランがSi換算のモル比で1以下であるシリカ被膜形成用塗布液。

請求項（抜粋）：

A.下記一般式で示されるハイドロトリアルコキシシラン 8〜30重量%HSi(OR1)a(OR2)b(OR3)c(式中、R1,R2,R3はC1〜4のアルキル基、a,b,cはいずれも0以上3以下の整数でかつa+b+c=3を示す)B.下記示性式で示されるポリアルコキシシランSiOd(OR4)e(式中、R4はメチル基またはエチル基、d,eは0.4≦d≦1.2, 3.2≧e≧1.6 を示す)C.沸点が100°C以上170°C以下の有機溶媒D.有機カルボン酸E.スルホン酸触媒を必須成分とし、かつA成分のハイドロトリアルコキシシランに対するB成分のポリアルコキシシランがSi換算のモル比で1以下であるシリカ被膜形成用塗布液。