特許

J-GLOBAL ID：200903080156519862

高品質単結晶製造のために多結晶シリコンを積み重ね、溶融させる方法

発明者： ジョン・ディ・ホールダー ,  ハリプラサド・スリーダラマーシー
出願人/特許権者： エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-593796
公開番号（公開出願番号）：特表2002-535223
出願日： 1999年12月16日
公開日（公表日）： 2002年10月22日
要約：

【要約】チョクラルスキー法によって、多結晶シリコン原材料の固体の種々の大きさの塊から単結晶シリコンインゴットを製造する改良方法。該方法は、原材料の各塊を大きさによって分級し、原材料の塊をルツボに配置して、ルツボ内に積み重ねを形成することを含む。塊の大きさによる分級によって予め選択されるルツボの少なくとも3つの領域に一般に塊を配置する。ルツボ内の積み重ねを、不活性雰囲気中、高温において溶融させて源メルトを形成し、ルツボおよび源メルトの温度を、結晶成長に好適な平衡レベルに安定化させる。チョクラルスキー法によって、単結晶シリコンインゴットを、源メルトから引き上げる。他の実施態様において、温度を安定化させる工程を行う際の周囲圧力より高い周囲圧力をルツボが有する間に、積み重ねを溶融させる工程を行う。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法によって、多結晶シリコン原材料の固体の種々の大きさの塊から単結晶シリコンインゴットを製造する改良方法であって、 原材料の各塊を大きさによって分級し; 原材料の塊をルツボに配置してルツボ内に積み重ねを形成し、塊は一般に、塊の大きさによる分級によって予め選択されるルツボの少なくとも3つの領域に配置され; 不活性雰囲気中、高温において、ルツボ内の積み重ねを溶融させて源メルトを形成し; ルツボおよび源メルトの温度を、結晶成長に好適な平衡レベルに安定化し; チョクラルスキー法によって、単結晶シリコンインゴットを源メルトから引き上げる;ことを含んで成る方法。

Fターム (5件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF05 ,  4G077HA12 ,  4G077PB13