特許

J-GLOBAL ID：200903080163809140

半導体応力検出装置

発明者： 室 英夫
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-251462
公開番号（公開出願番号）：特開平5-087648
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月06日
要約：

【要約】【目的】 高感度で、しかも非線形誤差の少ない半導体応力検出装置を提供する。【構成】 印加される応力に平行に形成されたp型多結晶Siピエゾ抵抗4、5とn型多結晶Siピエゾ抵抗6、7との印加応力に対する抵抗変化率の逆方向性を利用したもので、p型多結晶Siピエゾ抵抗同志(4と5)を一対の対辺とし、n型多結晶Siピエゾ抵抗同志(6と7)を他の一対の対辺としてブリッジ回路を構成した。

請求項（抜粋）：

外部物理量の印加に応じて応力が発生する構造部上に、当該抵抗に流れる電流の方向が印加される応力に平行方向となるように配設されたp型多結晶Siピエゾ抵抗とn型多結晶Siピエゾ抵抗とをそれぞれ複数個形成し、上記p型多結晶Siピエゾ抵抗同志を一対の対辺とし、上記n型多結晶Siピエゾ抵抗同志を他の一対の対辺としてブリッジ回路を構成したことを特徴とする半導体応力検出装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-274229
  
• 特開昭64-067975
  
• 特開昭53-062581
  
• 特開昭52-045377