特許

J-GLOBAL ID：200903080165103776

受光素子

発明者： 田中 清嗣 ,  奥洞 明彦 ,  笠原 二郎
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-151488
公開番号（公開出願番号）：特開平5-327001
出願日： 1992年05月19日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 受光素子において、受光効率を大幅に向上させる。【構成】 GaAs基板1上に光吸収層としてGe層2を形成し、その上に電極5、6を形成する。電極5、6の間に電圧を印加し、GaAs基板1の裏面からの光の入射によりGe層2で対生成される電子及び正孔により電極5、6の間に流れる光電流により受光作用を得る。

請求項（抜粋）：

ゲルマニウムのバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有する半導体基板と、上記半導体基板上に設けられたゲルマニウムから成る光吸収層とを有する受光素子。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 31/107

FI (2件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/10 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-034984
  
• 特開平4-010478
  
• 特開平4-034984
  
• 特開平4-010478