発光素子およびその製造方法並びに表示装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤島洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-044238
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243695
出願日： 2002年02月21日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】非晶質体などよりなる結晶性の低い基板の上に結晶性の良い単結晶の半導体層を備えた発光素子およびその製造方法並びに表示装置を提供する。【解決手段】基板11の一面側にシリコンまたはシリコンゲルマニウムよりなる中間層12を介して半導体層20が形成されている。中間層12は少なくとも半導体層20が形成される側の表面が結晶とされている。この中間層12を基礎として、石英ガラスなどの非晶質体よりなる基板11の上に単結晶の半導体層20を成長させる。よって、大面積の基板11の上に素子列を容易に形成することができる。

請求項（抜粋）：

基板と、単結晶の半導体層と、前記基板と前記半導体層との間に設けられ、炭素(C),シリコン(Si),ゲルマニウム(Ge)およびスズ(Sn)からなる群のうちの少なくとも1種のIV族元素を含む中間層とを備えたことを特徴とする発光素子。

IPC (4件)：

H01L 33/00 , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 21/365

FI (4件)：

H01L 33/00 A , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 21/365

Fターム (59件)：

5F041AA03 , 5F041AA12 , 5F041AA14 , 5F041AA36 , 5F041AA40 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA13 , 5F041CA24 , 5F041CA25 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA35 , 5F041CA40 , 5F041CA41 , 5F041CA43 , 5F041CA44 , 5F041CA46 , 5F041CA49 , 5F041CA53 , 5F041CA55 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F041CA73 , 5F041CA74 , 5F041CA77 , 5F041CA88 , 5F041CA93 , 5F041CB13 , 5F041CB25 , 5F041CB29 , 5F041CB36 , 5F041DB08 , 5F041FF06 , 5F045AA04 , 5F045AA08 , 5F045AB04 , 5F045AB14 , 5F045AB22 , 5F045AB23 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045CA10 , 5F045CA11 , 5F045DA53 , 5F045DA63 , 5F052AA02 , 5F052AA11 , 5F052BB07 , 5F052DA02 , 5F052DA03 , 5F052DA10 , 5F052DB03 , 5F052JA07 , 5F052KA01

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平1-223720
特開昭63-182811
窒化物系化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-157617 出願人：株式会社豊田中央研究所

全件表示

前のページに戻る