特許
J-GLOBAL ID：200903080175580319
駆動回路一体型表示装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-152800
公開番号（公開出願番号）：特開平11-344723
出願日： 1998年06月02日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：
【要約】【課題】従来の駆動回路一体型表示装置の駆動回路のトランジスタ(TFT)を形成する場合に正規回路と保護回路がビーム長尺方向に対して平行に並んで配置され、同一エネルギー照射で多結晶シリコン膜が形成されており、レーザショットのばらつきで生じる表示欠陥(線欠陥や面欠陥)を防止できない。【解決手段】本発明は、駆動回路一体型表示装置の駆動回路において、正規回路のTFTとその保護回路のTFTのチャネルとなる多結晶シリコンを形成する際に、非晶質半導体膜に照射するタイミングをずらして、異なるエネルギービームを照射して結晶化させて形成し、正規回路が動作しない場合でもその保護回路のチャネルの粒径は正規回路とは異なるため、保護回路が正常に動作するためレーザーショット間のエネルギーにばらつきがあっても表示欠陥の発生を抑制する駆動回路一体型表示装置およびその製造方法である。
請求項（抜粋）：
多結晶シリコン薄膜トランジスタを有して構成された駆動回路が表示部の周辺に配置され、前記駆動回路は、複数の正規回路と、少なくとも前記正規回路が不良となった時に、各々の前記正規回路に対してそれぞれ冗長作用を有する複数の冗長回路とを有する駆動回路一体型表示装置の製造方法であって、非晶質シリコン膜に長尺形状のエネルギービームを所定のピッチで走査し結晶化して前記正規回路および前記冗長回路を構成する多結晶シリコン膜を形成する工程を備え、前記複数の正規回路の内の少なくとも1つの正規回路とそれに対応する冗長回路とが、前記走査の方向に沿ってずれを有して配置されていることを特徴とする駆動回路一体型表示装置の製造方法。
IPC (5件)：
G02F 1/136
, G02F 1/1333
, G09F 9/33
, H01L 29/786
, H01L 21/336
G02F 1/136
, G02F 1/1333
, G09F 9/33 K
, H01L 29/78 612 B
, H01L 29/78 627 G
