特許
J-GLOBAL ID：200903080178511601
マスクを用いた開口部形成方法及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-208149
公開番号（公開出願番号）：特開平8-055837
出願日： 1994年08月09日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：
【要約】【目的】 開口部ないしは開口部をなす接続孔の形成について、テーパを付けて開口部の埋め込み性を良好にし、あるいは接続材料のカバレッジを良好にするとともに、しかも微細化を損なうことを抑制した開口部形成方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 開口1を有するマスク2を下地上に形成して、これを用いて下地に開口部4を形成する開口部形成方法であって、上記マスク(単層膜または多層膜から成る)の開口1はその特定方向の寸法を大きく形成することにより、開口部を該マスク形状を反映したテーパ状に形成する。
請求項（抜粋）：
開口を有するマスクを下地上に形成して、これを用いて下地に開口部を形成する開口部形成方法であって、上記マスクの開口はその特定方向の寸法を大きく形成することにより、開口部を該マスク形状を反映したテーパ状に形成することを特徴とするマスクを用いた開口部形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/28
, H01L 21/027
, H01L 21/768
H01L 21/302 M
, H01L 21/30 576
, H01L 21/90 B
, H01L 21/90 D
