特許
J-GLOBAL ID：200903080179312734
導電膜及び低反射導電膜及びそれらの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-059041
公開番号（公開出願番号）：特開平5-266828
出願日： 1992年02月12日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【構成】Ru化合物とIn化合物及び、更に必要に応じSi、Zr、Ti、Al、Sn等の化合物を含む塗布液をガラス基体上に塗布、加熱して導電膜を形成する。さらにその上に低屈折率膜を形成し、低反射導電膜を形成する。【効果】大面積にわたり、効率よく、高透過率及び高導電性を有する導電膜、及びかかる導電膜を用いた優れた低反射導電膜を形成できる。
請求項（抜粋）：
RuとInの酸化物を主成分とする導電膜。
IPC (2件)：
引用特許：
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