特許

J-GLOBAL ID：200903080180204899

SOS基板の形成方法およびそれを用いた半導体装置

発明者： 森安 嘉貴 ,  石田 誠 ,  吉本 護
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社 ,  石田 誠 ,  吉本 護
代理人 (1件)： 谷 義一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-255268
公開番号（公開出願番号）：特開平10-083962
出願日： 1996年09月06日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：

【要約】【課題】 量子効果デバイスを実現するためのサファイア基板上の量子ドット構造、量子細線構造および平坦Si膜、それらの形成方法、およびそれらを用いた半導体装置の提供。【解決手段】 原子層オーダーのステップを有するテラス構造の表面形態を持ったサファイア基板を用い、その表面の段差のステップ部分からSiが選択的に成長することを利用して量子ドット、量子細線および平坦性の良いSi層を形成する。

請求項（抜粋）：

サファイア基板にシリコンを成膜させるSOS基板の形成方法において、前記サファイア基板を熱処理することにより前記サファイア基板上にテラス構造を形成し、該テラス構造のステップ部分からシリコンを成長させることを特徴とするSOS基板の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/203 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/80

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 27/12 S ,  H01L 29/80 A