特許

J-GLOBAL ID：200903080183210547

半導体装置の製造方法

発明者： 田代 和昭
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-000580
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186068
出願日： 1996年01月08日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課題】 セルフアライメントの精度を高めることが困難。【解決手段】 X線を吸収しやすい重金属材料からなる所望の形状にパターン化された吸収層103を有し、該吸収層103の積層方向の一方の面側からX線を照射することにより、該吸収層103をマスクにして、該一方の面側と反対の面側に配されたフォトレジストを露光する。

請求項（抜粋）：

X線を吸収しやすい重金属材料からなる所望の形状にパターン化された吸収層を有し、該吸収層の積層方向の一方の面側からX線を照射することにより、該吸収層をマスクにして、該一方の面側と反対の面側に配されたフォトレジストを露光することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/30 531 E ,  H01L 21/88 C ,  H01L 29/78 616 N