特許
J-GLOBAL ID：200903080186694901
半導体基板の研磨方法及び研磨装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-229659
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066160
出願日： 1993年08月24日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、研磨ムラ及びハイドロプレーン現象が起こり難く、研磨布のクリーニングが容易で研磨布の寿命が長くなるように改良した半導体基板の研磨方法を提供する。【構成】 本発明方法は、表面を露出するようにして半導体基板Aを基板保持台14上に保持し、基板に直交する軸22の周りに該基板を回転させつつ、微細貫通孔を有する研磨布を巻きつけた円筒形回転ドラム26を回転する基板表面に押圧接触させながら前後に進退させて回転させる。一方、回転ドラムの内部に研磨液又は洗浄液を導入し、回転ドラム壁に設けた微細貫通孔及び研磨布の微細貫通孔を通じて研磨液又は洗浄液を基板表面に供給しながら、研磨及び洗浄を行う。
請求項（抜粋）：
表面を露出するようにして半導体基板を基板保持台上に保持し、基板に直交する軸の周りに該基板を回転させつつ、微細貫通孔を有する研磨布を巻きつけた円筒形回転ドラムを前記回転する基板表面に押圧、接触させながら、前後に進退して回転させ、一方、回転ドラムの内部に研磨液又は洗浄液を導入し、回転ドラム壁に設けた微細貫通孔及び研磨布の微細貫通孔を通じて研磨液又は洗浄液を基板表面に供給しながら、半導体基板の研磨及び洗浄を行うようにしたことを特徴とする半導体基板の研磨方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, H01L 21/304 341
, B24B 29/00
