特許

J-GLOBAL ID：200903080187937190

半導体装置用リードフレーム及び半導体装置

発明者： 石川 伸 ,  副田 益光
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-002475
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190725
出願日： 1992年01月09日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】【目的】 耐酸化性、半田拡がり性及び曲げ加工性が優れたリードフレーム及び信頼性が高い半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 銅又は銅合金からなる下地の少なくとも半導体素子接合部及びワイヤボンディング部上に 0.3乃至5 μmの厚さで形成されたNi-Fe-P合金めっき層を有し、前記Ni-Fe-P合金めっき層はそのP/Fe比が重量比で5.0以下であり、且つ、Fe含有量が1乃至3重量%、P含有量が3乃至9重量%である。又は、銅又は銅合金からなる下地と、この下地の少なくとも半導体素子接合部及びワイヤボンディング部上に形成されたNiめっき層と、このNiめっき層上に 0.2乃至0.5 μmの厚さで形成されたNi-Fe-P合金めっき層とを有し、前記Ni-Fe-P合金めっき層はそのP/Fe比が重量比で 5.0以下であり、且つ、Fe含有量が1乃至3重量%、P含有量が3乃至9重量%である。

請求項（抜粋）：

その表面上に半導体素子が搭載され、この半導体素子に設けられた電極とワイヤを介して電気的に接続される半導体装置に使用されるリードフレームにおいて、銅又は銅合金からなる下地部材と、この下地部材の少なくとも半導体素子接合部及びワイヤボンディング部上に 0.3乃至5 μmの厚さで形成されたNi-Fe-P合金めっき層とを有し、前記Ni-Fe-P合金めっき層はそのP/Fe比が重量比で 5.0以下であり、且つ、Fe含有量が1乃至3重量%、P含有量が3乃至9重量%であることを特徴とする半導体装置用リードフレーム。

IPC (2件)：

H01L 23/50 ,  H01L 21/52