特許

J-GLOBAL ID：200903080193407462

ネルンスト素子材料

発明者： 山口 作太郎
出願人/特許権者： 株式会社ユニネット
代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-349228
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202277
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】温度勾配と磁場の両者に垂直な方向に電位差が発生するというネルンスト効果を利用した熱発電装置の性能指数を特段に向上させる熱電変換素子材料の提供。【構成】熱電変換素子材料の一側を加熱し他側を冷却しその内部に温度勾配を生成し、前記温度勾配に実質的に直交する向きに磁場を印加し、前記熱電変換素子材料において前記磁場と温度勾配に互いに直交する向きに電圧を取り出すネルンスト効果による熱発電に用いられる熱電変換素子材料であって、HgSe,HgTe,InSb、及びCd3As2から成る群の中から選択された少なくとも一から成る。

請求項（抜粋）：

熱電変換素子材料の一側を加熱し他側を冷却しその内部に温度勾配を生成し、前記温度勾配に実質的に直交する向きに磁場を印加し、前記熱電変換素子材料において前記磁場と温度勾配に互いに直交する向きに電圧を取り出すネルンスト効果による熱発電に用いられる熱電変換素子材料であって、HgSe,HgTe,InSb、及びCd3As2から成る群の中から選択された少なくとも一から成ることを特徴とする熱電変換素子材料。