特許
J-GLOBAL ID:200903080195711649

多層配線基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 田辺 恵基
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-023181
公開番号(公開出願番号):特開平9-199855
出願日: 1996年01月17日
公開日(公表日): 1997年07月31日
要約:
【要約】【課題】高密度実装に十分に対応し得る多層配線基板の製造方法を実現し難かつた。【解決手段】一面及び又は他面に導電材でなる導体層が積層されたベース基板の貫通スルーホール形成位置に貫通孔を穿設すると共に、ベース基板の導体層をパターニングする第1の工程と、ベース基板の導体層上にフオトレジストでなるレジスト層を積層する第2の工程と、レジスト層を所定パターンに露光し、現像することによりベース基板の貫通孔と連通するようにレジスト層にビアホールを形成する第3の工程とを設けるようにしたことにより、ドリル加工工程を1度にまとめて行い得ると共に、最外の導体層における貫通スルーホールのランド径を小さくすることができ、かくして高密度実装に十分に対応し得る多層配線基板の製造方法を実0できる。
請求項(抜粋):
一面及び又は他面に導電材でなる導体層が積層されたベース基板の貫通スルーホール形成位置に貫通孔を穿設すると共に、上記ベース基板の上記導体層をパターニングする第1の工程と、上記ベース基板の上記導体層上にフオトレジストでなるレジスト層を積層形成する第2の工程と、上記レジスト層を所定パターンに露光し、現像することにより上記ベース基板の上記貫通孔と連通するように上記レジスト層にビアホールを形成する第3の工程とを具えることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
FI (2件):
H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 E

前のページに戻る