特許

J-GLOBAL ID：200903080195807611

半導体ウエハ熱処理炉及び熱処理方法

発明者： 松下 純一 ,  吉川 淳 ,  林 健郎 ,  真田 昌之 ,  下井 規弘 ,  北條 顕道
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 赤野 牧子 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-148158
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316163
出願日： 1995年05月22日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】 縦型熱処理炉における複数のウエハ処理において、炉芯管内の位置的差異によりウエハ表面状態に差を生じさせることなく、均一に熱処理できる熱処理炉及び熱処理方法の提供。【構成】 複数の半導体ウエハをボートにセットして熱処理炉内に装入し、処理ガスの流通下で該半導体ウエハを熱処理する縦型熱処理炉において、該半導体ウエハと炉芯管とを同心状に設置するとともに、該炉芯管内壁と該半導体ウエハとに10〜100mmの間隙を有することを特徴とする半導体ウエハ熱処理炉。

請求項（抜粋）：

複数の半導体ウエハをボートにセットして熱処理炉内に装入し、処理ガスの流通下で該半導体ウエハを熱処理する縦型熱処理炉において、該半導体ウエハと炉芯管とを同心状に設置するとともに、該炉芯管内壁と該半導体ウエハとが10〜100mmの間隙を有することを特徴とする半導体ウエハ熱処理炉。

IPC (3件)：

H01L 21/22 511 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/324

FI (3件)：

H01L 21/22 511 S ,  H01L 21/31 E ,  H01L 21/324 D