特許

J-GLOBAL ID：200903080197811730

発光装置

発明者： 岡崎 洋二
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-184882
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009402
出願日： 2000年06月20日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】【課題】 可視域の光あるいは白色光を発する発光装置において、高輝度、高効率かつ長寿命を実現する。【解決手段】 n-GaN(0001)基板11上に、n-Ga1-z1Alz1N/GaN超格子クラッド層12、nあるいはi-GaN光導波層13、In1-z2Gaz2N(Siドープ)/In1-z3Gaz3N多重量子井戸活性層14、p-Ga0.8Al0.2Nキャリアブロッキング層15、nあるいはi-GaN光導波層16、p-Ga1-z1Alz1N/GaN超格子クラッド層17、p-GaNコンタクト層18が形成されたブロードエリアの発光領域を有する半導体レーザ25を励起光源に用い、該励起光源からの青色光を効率良く吸収し黄色光が発光可能な蛍光体32としてセリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体を用いて、発光装置を構成する。

請求項（抜粋）：

GaN系の半導体を活性層とするブロードエリアの発光領域を有する半導体レーザからなる励起光源と、該励起光源により励起されて、該励起光源から発せられる光の波長よりも長波長の蛍光を発する蛍光体とを有することを特徴とする発光装置。

IPC (5件)：

H01S 5/343 ,  C09K 11/80 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/10 ,  H01S 5/02

FI (5件)：

H01S 5/343 ,  C09K 11/80 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/10 Z ,  H01S 5/02

Fターム (35件)：

4H001CA04 ,  4H001XA08 ,  4H001XA13 ,  4H001XA21 ,  4H001XA31 ,  4H001XA39 ,  4H001XA49 ,  4H001XA57 ,  4H001XA62 ,  4H001XA64 ,  4H001XA71 ,  4H001YA00 ,  4H001YA21 ,  4H001YA39 ,  4H001YA58 ,  4H001YA59 ,  4H001YA65 ,  4H001YA66 ,  5F041AA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041DA46 ,  5F041EE25 ,  5F072AB01 ,  5F072JJ02 ,  5F072JJ03 ,  5F072JJ04 ,  5F072PP07 ,  5F072RR03 ,  5F072YY20 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073EA11 ,  5F073FA14