特許

J-GLOBAL ID：200903080199259899

白金薄膜形成方法、その方法により製造された基板、その基板を利用した電子素子及びその電子素子の製造方法

発明者： 李東洙 ,  全東一 ,  朴東衍 ,  尹義▲俊▼ ,  金▲文▼弘 ,  禹賢廷 ,  朴台淳
出願人/特許権者： 東洋セメント株式会社
代理人 (1件)： 青木 輝夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-085686
公開番号（公開出願番号）：特開平10-084086
出願日： 1997年03月19日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：

【要約】【課題】 その大部分が(200)方向の優先配向性を有する白金薄膜を絶縁酸化物層上に形成することは非常に難しい。【解決手段】 シリコンウエハー11の表面上に絶縁酸化物薄膜層12を形成する絶縁酸化物形成工程(ステップS2)と、ステップS2処理後のウエハー11を常温から700°Cまでの温度で加熱し、かつ酸化雰囲気中で絶縁酸化物薄膜層12上に白金を蒸着することにより、この絶縁酸化物薄膜層上に酸素が含まれた白金層を形成する酸化雰囲気蒸着処理工程(ステップS3)と、ステップS3処理後のウエハー11を400°Cから1000°Cまでの温度で加熱することにより、この白金層から酸素を除去して純粋白金薄膜層15に転換する加熱処理工程(ステップS4)とを有し、この純粋白金薄膜層15における(200)方向の優先配向度は90%以上であるようにした。

請求項（抜粋）：

素子基板の表面に絶縁酸化物層を形成する絶縁酸化物形成工程と、絶縁酸化物層が形成された素子基板を常温から700°Cまでの温度で加熱し、かつ酸化雰囲気中で絶縁酸化物層上に白金を蒸着することにより、この絶縁酸化物層上に酸素が含まれた白金層を形成する酸化雰囲気蒸着処理工程と、この素子基板を400°Cから1000°Cまでの温度で加熱することにより、酸素が含まれた白金層から酸素を除去して、この白金層を酸素を含まない純粋白金層に転換する加熱処理工程とを有する白金薄膜形成方法であって、この純粋白金層において、次式で得られる(200)方向の優先配向度が、【数1】90%以上であることを特徴とする白金薄膜形成方法。

IPC (13件)：

H01L 27/10 451 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/58 ,  C30B 29/02 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/22

FI (10件)：

H01L 27/10 451 ,  C23C 14/06 N ,  C23C 14/58 A ,  C30B 29/02 ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 41/08 D ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/22 Z