特許

J-GLOBAL ID：200903080199584501

光情報記憶媒体

発明者： デービス,ゲーリー・チャールズ ,  ローゼンキスト,ナイルズ・リチャード ,  サイベール,ポール・ディーン ,  ジーノジワラ,アリ ,  ハバード,スティーブン・エフ ,  キング,ジョセフ・アンソニー,ジュニア ,  レイモンド,ポール・クリータス,ザ・サード ,  ヴァン・ホウト,ルード ,  石和 健一
出願人/特許権者： ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
代理人 (1件)： 松本 研一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-611275
公開番号（公開出願番号）：特表2002-541317
出願日： 1999年04月13日
公開日（公表日）： 2002年12月03日
要約：

【要約】本発明では、VBRの低い基板を含む光情報記憶媒体が提供される。好ましい実施形態では、コポリエステルカーボネートを含め、物理的性質と光学特性に優れた一群のコポリカーボネートからなる基板を有する光ディスクが提供される。これらのコポリカーボネートは特定の組成範囲内の割合の構造単位を有しており、この範囲で規定される材料は、その大部分が、低いVBRを始めとする所望の光学特性を有する光ディスクへと成形できる。

請求項（抜粋）：

垂直複屈折3.0×10-4未満の基板を有する光情報記憶媒体であって、前記基板が150°C未満のガラス転移温度と40cc/10分以上のMVIを有するコポリカーボネートを含んでおり、前記コポリカーボネートが、(A)式(I)の構造単位40モル%未満【化1】(式中、R2はC1-3アルキル又はフェニルであり、R3はC1-3アルキルであり、pは1又は2である。)、(B)式(II)の構造単位50〜85モル%【化2】(式中、R1はm-フェニレンオキシ、アルキレンヒドロキシ酸又は次式の基である。【化3】(ただし、nは約4〜25の範囲である。))、及び(C)式(IV)の構造単位からなる残部【化4】(式中、A1及びA2は各々独立に非置換又は置換m-又はp-フェニレンであり、YはA1とA2を原子1個又は2個で隔てる結合基であり、nは0又は1である。)からなる、前記光情報記憶媒体。

IPC (3件)：

C08G 63/64 ,  G11B 7/24 526 ,  G11B 7/24 531

FI (3件)：

C08G 63/64 ,  G11B 7/24 526 H ,  G11B 7/24 531 Z

Fターム (31件)：

4J029AA08 ,  4J029AB07 ,  4J029AC02 ,  4J029AD07 ,  4J029AD10 ,  4J029AE05 ,  4J029BB04A ,  4J029BB10A ,  4J029BB12A ,  4J029BB13A ,  4J029BC09 ,  4J029BD10 ,  4J029BF13 ,  4J029BF14A ,  4J029BG07Y ,  4J029BG08Y ,  4J029BH02 ,  4J029BH04 ,  4J029DB07 ,  4J029DB11 ,  4J029DB13 ,  4J029EA01 ,  4J029HC01 ,  4J029JA091 ,  4J029JF031 ,  4J029KE02 ,  4J029KE11 ,  4J029KE12 ,  5D029KA08 ,  5D029KC07 ,  5D029KC11