特許

J-GLOBAL ID：200903080203547560

半導体装置の製造方法

発明者： 佐藤 裕時
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-226377
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070096
出願日： 1996年08月28日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】 従来法による、過酸化水素とアンモニア水との混合液や、過酸化水素と塩酸との混合液による洗浄では、埋め込み平坦化されたタングステン等のメタルの溶解が発生するため、平坦化が損なわれ、ボイドパターン不良が発生する。【解決手段】 シリコン基板1上に溝部を有するシリコン酸化膜2を形成し、該溝部内部及びシリコン酸化膜2表面上にメタルを堆積させた後、化学的機械研磨により、溝部にタングステン5を埋め込み且つシリコン酸化膜2表面を露出させ平坦化する。次に、アイススクラバ洗浄し、その後、塩酸水を上記基板の両面に噴射することによって、シリコン基板1を洗浄する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に溝部を有する絶縁膜を形成し、該溝部内部及び上記絶縁膜表面上にメタルを堆積させた後、化学的機械研磨により、上記溝部に上記メタルを埋め込み且つ上記絶縁膜表面を露出させ平坦化する工程を有する半導体装置の製造方法において、上記化学的機械研磨を行った後、アイススクラバ洗浄し、その後、塩酸水を上記半導体基板の上記メタル形成面又は両面に噴射することによって、上記半導体基板を洗浄する工程を有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/304 321 A ,  H01L 21/304 341 N ,  H01L 21/88 K