特許

J-GLOBAL ID：200903080207704007

超電導体の着磁方法

発明者： 大塚 広明 ,  澤村 充 ,  伊藤 郁夫 ,  真鍋 豊孝
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 矢葺 知之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-077631
公開番号（公開出願番号）：特開平8-273921
出願日： 1995年04月03日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、超電導筒を着磁したときの捕捉磁束の時間的低下を抑制する方法及び捕捉磁場の時間的低下の小さい超電導円筒を提供するものである。【構成】 本発明は、筒状超電導体を臨界温度以下に冷却し、該超電導体の外側より該筒の軸方向にBe <SB>take-off</SB><B<Be <SB>max </SB>の磁場Bを印加後、外部磁場を零磁場まで減少させ着磁することを特徴とする超電導体の着磁方法である。ここでBe <SB>take-off</SB>とは外部磁場が該超電導筒内部に侵入し始めるときの外部印加磁場であり、Be <SB>max </SB>とは該超電導筒内側に侵入した磁場が捕捉可能な最大磁場Bi <SB>max </SB>に等しくなった時の外部印加磁場である。本方法によれば励磁マグネットの他に特別な装置は不要で安全にかつ励磁用マグネットに負担をかけず捕捉磁場を安定に維持することが可能である。

請求項（抜粋）：

筒状超電導体を臨界温度以下に冷却し、該超電導体の外側より該筒の軸方向にBe <SB>take-off</SB><B<Be <SB>max </SB>の磁場Bを印加後、外部磁場を零磁場まで減少させ着磁することを特徴とする超電導体の着磁方法。ここで、Be <SB>take-off</SB>:外部磁場が該超電導筒内部に侵入し始めるときの外部印加磁場Be <SB>max </SB>:該超電導筒内側に侵入した磁場が捕捉可能な最大磁場Bi<SB>max </SB>に等しくなった時の外部印加磁場

IPC (2件)：

H01F 6/00 ZAA ,  H01F 13/00

FI (2件)：

H01F 7/22 ZAA H ,  H01F 13/00 A