特許

J-GLOBAL ID：200903080211078560

太陽電池の製造方法

発明者： 岩▲崎▼ 由希子 ,  西田 彰志 ,  坂口 清文 ,  米原 隆夫 ,  浮世 典孝
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-287208
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100791
出願日： 2000年09月21日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：

【要約】【課題】 薄膜半導体に対する、ひびや割れ、欠陥の導入が低減され、しかも、同時に任意形状に加工することができ、収率よく安価に高性能な太陽電池が得られる製造方法を提供する。【解決手段】 少なくとも、第一の基体の表面を陽極化成することにより、基体の少なくとも片面に多孔質層を形成する工程と、前記多孔質層の上に少なくとも半導体層を形成する工程と、前記半導体層表面に第二の基体を接着する工程と、前記多孔質層を介して、前記半導体層と第一の基体とを分離する工程と、少なくとも分離した前記半導体層の周辺部を除去する工程とを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも、次の工程(1)〜(5)を有することを特徴とする太陽電池の製造方法。(1)第一の基体の表面を陽極化成することにより、基体の少なくとも片面に多孔質層を形成する工程(2)前記多孔質層の上に少なくとも半導体層を形成する工程(3)前記半導体層表面に第二の基体を接着する工程(4)前記多孔質層を介して、前記半導体層と第一の基体とを分離する工程(5)少なくとも分離した前記半導体層の周辺部を除去する工程

IPC (4件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3063 ,  H01L 27/12

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 27/12 B ,  H01L 31/04 H ,  H01L 21/306 L

Fターム (22件)：

5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD02 ,  5F043DD14 ,  5F043DD30 ,  5F043GG01 ,  5F043GG10 ,  5F045AA03 ,  5F045AD14 ,  5F045AF12 ,  5F045AF14 ,  5F045CA13 ,  5F045HA01 ,  5F045HA11 ,  5F051AA02 ,  5F051CB12 ,  5F051CB28 ,  5F051CB29 ,  5F051DA03 ,  5F051GA02 ,  5F051GA03 ,  5F051HA01