特許

J-GLOBAL ID：200903080219855574

半導体集積回路装置の識別方法と半導体集積回路装置の製造方法及び半導体集積回路装置

発明者： 村中 雅也
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2000008500
公開番号（公開出願番号）：WO2002-050910
出願日： 2000年12月01日
公開日（公表日）： 2002年06月27日
要約：

半導体集積回路装置の製造工程の過程で同一の形態からなる複数の識別要素を形成し、上記複数の識別要素のプロセスバラツキに対応した物理量の相互の大小関係に基づいてかかる半導体集積回路装置の固有の識別情報として用いる。

請求項（抜粋）：

半導体集積回路装置の製造工程の過程で同一の形態からなる複数の識別要素を形成し、 上記複数の識別要素のプロセスバラツキに対応した物理量を判定し、上記複数の識別要素の相互の物理量の大小関係に基づいてかかる半導体集積回路装置の固有の識別情報として用いてなることを特徴とする半導体集積回路装置の識別方法。

IPC (3件)：

H01L21/822 ,  H01L21/02 ,  H01L27/04

FI (2件)：

H01L27/04 T ,  H01L21/02 Z