特許
J-GLOBAL ID：200903080235698160
熱プラズマアニール装置およびアニール方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-320477
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145148
出願日： 1997年11月06日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 ガラス等の比較的高熱に弱い材料も基板として使用可能で、しかも、量産工程での大量なアニール処理にも対応でき、均一な処理品質が得られる熱プラズマアニール装置を実現する。【解決手段】 基板11上に形成された薄膜12上に、熱プラズマから得られる熱ないし放射線を照射する放射線照射手段を有する熱プラズマアニール装置とした。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された薄膜上に、熱プラズマから得られる熱ないし放射線を照射する放射線照射手段を有する熱プラズマアニール装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/324 P
, H01L 21/20
