特許
J-GLOBAL ID：200903080240793570
マイクロ電気機械システムの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-173437
公開番号（公開出願番号）：特開2005-349533
出願日： 2004年06月11日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：
【課題】シリコン中に中空領域を制御性よく容易に形成するという目的を、中空領域を形成する領域に水素イオン注入を行った後、水素イオン注入領域に熱処理を行うことで、水素イオン注入領域に中空領域を形成することを可能とする。【解決手段】基板11上にシリコン系膜12を形成する工程と、シリコン系膜12の中空領域を形成しようとする領域に水素イオンを注入して水素イオン注入領域14を形成する工程と、水素イオン注入領域14の一部が露出するようにシリコン系膜12を加工する工程と、熱処理を行うことによって水素イオン注入領域14に中空領域17を形成する工程とを備えたことを最も主要な特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上にシリコン系膜を形成する工程と、
前記シリコン系膜の中空領域を形成しようとする領域に水素イオンを注入して水素イオン注入領域を形成する工程と、
前記水素イオン注入領域の一部が露出するように前記シリコン系膜を加工する工程と、
熱処理を行うことによって前記水素イオン注入領域に中空領域を形成する工程と
を備えたことを特徴とするマイクロ電気機械システムの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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