多給電型複合トランジスタ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩佐義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-218064
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069249
出願日： 1992年08月18日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】【目的】多給電法により高出力化した超高周波帯でのGaAs MESFETの飽和出力動作付近でよく観察される発振や出力レベルの変動などの異常動作を抑える。【構成】チャネル以外の部分にボロンをイオン注入することにより高抵抗化領域が形成され、素子間の分離を行った後、Au/Ni/AuGeによるソース電極14およびドレイン電極16用オーミックコンタクトが蒸着およびリフトオフ法により形成され、その後、2段階に所望の形状までチャネルがリセスエッチングされ、Alによるゲート電極12が蒸着およびリフトオフ法により形成され、最後に、Auメッキによる給電用電極およびゲートパッド13およびドレインパッド17が形成されている。

請求項（抜粋）：

複数のGaAsメタル・セミコンダクタ型電界効果トランジスタを電極で接続給電する多給電型複合トランジスタにおいて、ゲート電極への給電間隔が周期性を有しないことを特徴とする多給電型複合トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 27/06

FI (2件)：

H01L 29/80 L , H01L 27/06 F

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭63-202974
特開昭59-136969

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