特許

J-GLOBAL ID：200903080247104169

光学構造体

発明者： 池谷 雅視 ,  川瀬 祥靖
出願人/特許権者： 東海光学株式会社
代理人 (1件)： 柴田 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-353546
公開番号（公開出願番号）：特開2008-164877
出願日： 2006年12月28日
公開日（公表日）： 2008年07月17日
要約：

【課題】異なる波長透過領域を有する複数の誘電体薄膜層を重ね合わせた際に自然光による目視をしてもパターンが交錯しないような光学構造体を提供すること。【解決手段】青色光を選択的に透過させるとともに、第1のパターンを部分的に中抜きした第1の誘電体薄膜層23を透明基板21の裏面に成膜し、赤色光を選択的に透過させるとともに、第2のパターンを部分的に中抜きした第2の誘電体薄膜層24を透明基板21の表面に成膜し、両第1及び第2のパターンが交錯するように両誘電体薄膜層23,24を積層状に配置する。第1のパターンと外郭が一致する第3のパターンを第3の誘電体薄膜層25として透明基板22の上に成膜するとともに、第3の誘電体薄膜層25を第1の誘電体薄膜層23と照合させて配置し、第3の誘電体薄膜層25の透過率を第1及び第2の誘電体薄膜層23,24の青色及び赤色に対する透過率よりも低く設定した。【選択図】 図6

請求項（抜粋）：

所定の波長域にある第1の可視光を選択的に透過させるとともに、文字、記号あるいは図形等からなる第1のパターンを部分的に中抜きした第1の誘電体薄膜層を透明基板の上に成膜し、同第1の可視光とは異なる所定の波長域にある第2の可視光を選択的に透過させるとともに、文字、記号あるいは図形等からなる第2のパターンを部分的に中抜きした第2の誘電体薄膜層を透明基板の上に成膜し、同両第1及び第2のパターンが交錯するように両誘電体薄膜層を積層状に配置した光学構造体において、 前記第1又は第2のいずれかのパターンと一部又は全部の外郭が一致する第3のパターンを第3の誘電体薄膜層として透明基板の上に成膜するとともに、同第3の誘電体薄膜層を前記第1又は第2の誘電体薄膜層のいずれか一方の薄膜層の外側位置であって選択した当該第1又は第2のいずれか一方のパターンの一部又は全部と照合させて配置し、 前記第1及び第2の誘電体薄膜層の前記第1及び第2の可視光の透過率よりも同第3の誘電体薄膜層の当該透過率を低く設定するようにしたことを特徴とする光学構造体。

IPC (2件)：

G02B 5/28 ,  G02F 1/133

FI (2件)：

G02B5/28 ,  G02F1/1335 505

Fターム (15件)：

2H048GA01 ,  2H048GA12 ,  2H048GA22 ,  2H048GA24 ,  2H048GA60 ,  2H048GA61 ,  2H048GA65 ,  2H091FA02Y ,  2H091GA01 ,  2H091GA16 ,  2H091LA30 ,  2H191FA02Y ,  2H191GA01 ,  2H191GA22 ,  2H191LA40

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 携帯電話装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-298653   出願人：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社