特許
J-GLOBAL ID：200903080247518559
プラズマCVD法及びプラズマCVD装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-327198
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183227
出願日： 1993年12月24日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：
【要約】【目的】 チャンバー内のプラズマ干渉によるゆらぎ及び反射波を低減させ、基板上に均一な膜厚・膜質の薄膜を形成できるプラズマCVD法及びプラズマCVD装置を提供する。【構成】 パルスジェネレーター4A、4B及び4Cによって、電極2A、2Bごとに高周波電圧の印加期間が重ならないようにON期間のタイミングをずらしたパルス列が高周波電源5に送られる。高周波電源5では、パルス列に基づいて、各電極2A、2Bごとに高周波電圧を間欠的に印加する。これにより、電極2Aで放電が停止している間、電極2Bで放電が行われ、逆に電極2Bで放電が停止している間、電極2Aで放電が行われ、プラズマ同志の干渉が防止される。
請求項（抜粋）：
同一チャンバー内に複数枚の電極を配置するとともに、接地した基板を前記電極ごとに対面させて設け、前記電極と前記基板との間に、間欠的に高周波電流を放電させて基板の表面に薄膜を形成するプラズマCVD法において、前記電極と該電極に対応する基板との間で放電するタイミングを前記電極ごとに異なるように制御することを特徴とするプラズマCVD法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23C 16/50
, C23C 16/52
, H01L 21/31
