特許
J-GLOBAL ID:200903080251709881
液晶表示装置及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-039689
公開番号(公開出願番号):特開2001-228492
出願日: 2000年02月17日
公開日(公表日): 2001年08月24日
要約:
【要約】【課題】 透明電極の十分な面積を確保しつつ、補助容量の十分な容量を確保でき、高精彩、高輝度化を達成する。【解決手段】 ガラス基板9上に酸化膜29が設けられ、この酸化膜29上の非透過エリアに設けられたポリシリコン基板8に、液晶画素駆動用の画素トランジスタ30が設けられている。画素トランジスタ30の上面には、2層の層間絶縁膜2、4を介して透明電極1が設けられている。酸化膜29中には、画素トランジスタ30の下部に位置する領域(非透過エリア内)に補助容量13が設けられている。補助容量13は、中間の絶縁層24を挟んで上下両側に電極層23、25を設けたものである。このように、画素トランジスタ30の下方位置に補助容量13を設けることで、透明電極の十分な面積を確保しつつ、補助容量の十分な容量を確保する。
請求項(抜粋):
液晶駆動用の画素トランジスタを設けた液晶駆動基板と前記液晶駆動基板の対向基板とを所定の間隔で配置し、各基板間に液晶を封入するとともに、前記画素トランジスタによって液晶を駆動する透過型の液晶表示装置において、前記液晶駆動基板は、ガラス基板上に設けられた第1及び第2絶縁膜の上面に各画素形状に略対応する透明電極を配置した光透過エリアと、前記第1絶縁膜上に前記画素トランジスタを形成する半導体膜を配置し、前記第2絶縁膜に設けたコンタクトホールを介して前記画素トランジスタと前記透明電極とを接続した非透過エリアとを有し、前記非透過エリアの第1絶縁膜内であって前記画素トランジスタの略下方位置に補助容量を設け、前記補助容量と前記画素トランジスタ及び透明電極を第1絶縁膜に設けたコンタクトホールを介して接続した、ことを特徴とする液晶表示装置。
IPC (4件):
G02F 1/1368
, G02F 1/1343
, G09F 9/30 338
, H01L 21/768
FI (4件):
G02F 1/1343
, G09F 9/30 338
, G02F 1/136 500
, H01L 21/90 B
Fターム (67件):
2H092JA25
, 2H092JA29
, 2H092JA38
, 2H092JA42
, 2H092JA44
, 2H092JB13
, 2H092JB23
, 2H092JB32
, 2H092JB33
, 2H092JB38
, 2H092JB51
, 2H092JB57
, 2H092JB63
, 2H092JB69
, 2H092KA04
, 2H092KA07
, 2H092KA16
, 2H092KA18
, 2H092KB14
, 2H092MA05
, 2H092MA07
, 2H092MA14
, 2H092MA15
, 2H092MA16
, 2H092MA18
, 2H092MA19
, 2H092MA20
, 2H092MA27
, 2H092MA28
, 2H092MA35
, 2H092MA37
, 2H092MA41
, 2H092NA22
, 2H092NA25
, 2H092NA27
, 2H092NA28
, 2H092PA01
, 2H092QA07
, 5C094AA05
, 5C094AA10
, 5C094BA03
, 5C094BA43
, 5C094CA19
, 5C094DA13
, 5C094EA04
, 5C094EA05
, 5C094EA10
, 5C094FA02
, 5C094FB19
, 5F033GG04
, 5F033HH04
, 5F033HH05
, 5F033HH38
, 5F033JJ04
, 5F033JJ38
, 5F033KK04
, 5F033KK05
, 5F033KK07
, 5F033KK18
, 5F033KK19
, 5F033LL04
, 5F033QQ08
, 5F033QQ09
, 5F033QQ31
, 5F033QQ37
, 5F033RR04
, 5F033RR06
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