特許

J-GLOBAL ID：200903080254622540

デュアルダマシン法に適用される誘電体構造物およびその製造方法

発明者： ウグロウ・ジェイ・イー. ,  ブライト・ニコラス・ジェイ. ,  ヘンカー・デイブ・ジェイ. ,  マクウィリアムズ・ケネス・ピー. ,  ベンジン・ジェフリー・シー. ,  アーチャー・ティモシー・エム.
出願人/特許権者： ラム リサーチ コーポレーション ,  ノベルス・システムズ・インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 五十嵐 孝雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-508492
公開番号（公開出願番号）：特表2003-504848
出願日： 2000年06月08日
公開日（公表日）： 2003年02月04日
要約：

【要約】【課題】 基板上に形成されるとともに、デュアルダマシン法に用いられる誘電体構造物と該誘電体構造物の製造方法を提供する。【解決手段】 基板上にバリア層(102)を形成し、バリア層上に無機誘電体層(104)を形成し、無機誘電体層上に低誘電率層(106)を形成する。この好ましい実施例においては、さらに第1のエッチング化学剤を使用して低誘電率層(106)内に溝(110)を形成し、第2のエッチング化学剤を使用してビア(112)の内側の無機誘電体層(104)にビア(112)を形成する。他の実施例において、無機誘電体層は非ドープTEOS酸化物またはフッ素ドープ酸化物とすることができ、低誘電率層は炭素ドープ酸化物(C-酸化物)または他の低K誘電体とすることができる。

請求項（抜粋）：

デュアルダマシン法に適用される誘電体構造物を製造する方法であって、 基板を用意し、 前記基板上にバリア層を形成し、 前記バリア層上に無機誘電体層を形成し、 前記無機誘電体層上に低誘電率の層を形成する製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/302 A

Fターム (40件)：

5F004AA02 ,  5F004AA12 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033RR12 ,  5F033RR20 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033XX01 ,  5F033XX24