特許

J-GLOBAL ID：200903080254913544

窒化物系半導体発光素子およびその製造方法

発明者： 久納 康光 ,  廣山 良治 ,  三宅 泰人 ,  別所 靖之
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-289918
公開番号（公開出願番号）：特開2009-117662
出願日： 2007年11月07日
公開日（公表日）： 2009年05月28日
要約：

【課題】製造プロセスが複雑になるのを抑制することが可能で、かつ、発光効率の低下を抑制することが可能な窒化物系半導体発光素子を提供する。【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子50(窒化物系半導体発光素子)は、n型GaN基板1の(1-100)面からなる主表面上に下地層2を介して形成され、(1-100)面を主面とする発光層6を有する半導体レーザ素子層3と、半導体レーザ素子層3の発光層6を含む領域の端部に形成され、発光層6の主面((1-100)面)に対して略垂直な方向に延びる(000-1)面からなる光出射面20aと、(000-1)面からなる光出射面20aと対向する領域に形成され、半導体レーザ素子層3の成長面からなり、光出射面20aに対して角度θ1(約62°)傾斜した方向に延びる反射面20cとを備える。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板上に、(H、K、-H-K、0)面を主面とする発光層を有する窒化物系半導体素子層と、 前記窒化物系半導体素子層の前記発光層を含む領域の端部に形成され、前記発光層の主面に対して略垂直な方向に延びる(000-1)面からなる端面と、 前記(000-1)面からなる端面と対向する領域に形成され、前記窒化物系半導体素子層の成長面からなり、前記(000-1)面からなる端面に対して所定の角度傾斜して延びる反射面とを備える、窒化物系半導体発光素子。

IPC (4件)：

H01S 5/18 ,  H01S 5/323 ,  H01S 5/022 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

H01S5/18 ,  H01S5/323 610 ,  H01S5/022 ,  H01L21/205

Fターム (30件)：

5F045AA04 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC19 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF13 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DB09 ,  5F173AB52 ,  5F173AD05 ,  5F173AD30 ,  5F173AG11 ,  5F173AG20 ,  5F173AH22 ,  5F173AP06 ,  5F173AP24 ,  5F173AP86 ,  5F173AP92 ,  5F173AQ12 ,  5F173AR92 ,  5F173MC15 ,  5F173MD12 ,  5F173MD34 ,  5F173MD62 ,  5F173MD63 ,  5F173MD65