特許
J-GLOBAL ID：200903080257370690
半導体レーザ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-272789
公開番号（公開出願番号）：特開平7-131107
出願日： 1993年10月29日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：
【要約】【目的】 信頼性が高く、特性の安定した半導体レーザを構成する。【構成】 少なくとも活性層3と、この活性層3を挟んで配置される第1導電型のクラッド層2および第2導電型のクラッド層4と、電流通路を形成する欠除部が形成された電流狭窄層7とを有し、クラッド層2、4がAlGaInP系半導体層よりなり、電流狭窄層7が第2導電型のAl<SB>1-z </SB>Ga<SB>z </SB>As(0<z≦1)よりなる半導体レーザにおいて、電流狭窄層7の電流通路を形成する欠除部9の相対向する内側面9Aおよび9Bを311結晶面から111結晶面の範囲の傾斜面として形成し、第2導電型のクラッド層4を、電流狭窄層7を挟んでその上下に配置される第1および第2のクラッド層4Aおよび4Bによって構成し、少なくとも電流狭窄層7の欠除部9内において第2導電型の第2のクラッド層4Bと第1のクラッド層4Aとの間に燐を含まない介在半導体層10を介在させた構成とする。
請求項（抜粋）：
少なくとも活性層と、該活性層を挟んで配置される第1導電型のクラッド層および第2導電型のクラッド層と、電流通路を形成する欠除部が形成された電流狭窄層とを有し、上記クラッド層がAlGaInP系半導体層よりなり、上記電流狭窄層が第2導電型のAl<SB>1-z </SB>Ga<SB>z </SB>As(0<z≦1)よりなる半導体レーザにおいて、上記電流狭窄層の電流通路を形成する欠除部の相対向する内側面が311結晶面から111結晶面の範囲の傾斜面として形成され、上記第2導電型のクラッド層は、上記電流狭窄層を挟んでその上下に配置される第1および第2のクラッド層よりなり、少なくとも上記電流狭窄層の欠除部内において上記第2導電型の第2のクラッド層と上記第1のクラッド層との間に燐を含まない介在半導体層が介在されてなることを特徴とする半導体レーザ
引用特許：
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