特許
J-GLOBAL ID：200903080259414996
化合物半導体装置の製造装置及び化合物半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-189079
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037047
出願日： 1992年07月16日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：
【要約】【目的】 任意のパターンが形成された電極を持った半導体製造装置を化合物半導体装置製造工程に導入して、低コストで高性能なFETの製造を可能とする。【構成】 ドライエッチング装置の電極金属板を半導体基板と同一形状とし、金属板表面に絶縁膜で任意のパターン形成する。前記記載のパターン形成には、FET製造工程と同じフォトリソグラフィー工程を使用し、パターン形成の合わせマークの露光面内での座標もFET製造工程と同一にする。この電極を使用して、ドライエッチングやバイア・ホール構造形成を行う。
請求項（抜粋）：
半導体集積回路製造に用いる半導体基板と同一外形・同一厚さの金属板上に絶縁膜を形成したのち、半導体装置製造工程で用いられているフォトリソグラフィー工程によって前記絶縁膜を任意のパターンに形成し、前記金属板をドライエッチングまたは放電加工用の電極にすることを特徴とする化合物半導体装置の製造装置。
IPC (2件)：
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