特許
J-GLOBAL ID:200903080260696261

半導体圧力センサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三浦 邦夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-153750
公開番号(公開出願番号):特開2009-300197
出願日: 2008年06月12日
公開日(公表日): 2009年12月24日
要約:
【課題】ダイヤフラムと感応抵抗素子との相対位置ずれによる影響が小さい半導体圧力センサを得る。【解決手段】シリコン基板に形成されたダイヤフラムと、このダイヤフラムの歪みに応じて抵抗値が変化する複数のピエゾ素子とを有する半導体圧力センサであって、各ピエゾ素子は、複数の平面視細長形状の素子を直列に接続し、圧縮方向に作用するピエゾ素子と引張方向に作用するピエゾ素子とを構成する各々複数の平面視細長形状の素子を一方向に平行に形成し、上記圧縮方向の複数の平面視細長形状の素子のうち、ダイヤフラムの輪郭を跨ぐ平面視細長形状の素子を、他の平面視細長形状の素子よりも面積が広く、かつ他の平面視細長形状の素子のアスペクト比と同一のアスペクト比に形成した。【選択図】図1
請求項(抜粋):
シリコン基板に形成されたダイヤフラムと、このダイヤフラムの歪みに応じて抵抗値が変化する複数のピエゾ素子とを有する半導体圧力センサであって、 各ピエゾ素子は、複数の平面視細長形状の素子が直列に接続され、 圧縮方向に作用するピエゾ素子と引張方向に作用するピエゾ素子とを構成する各々複数の平面視細長形状の素子は一方向に平行に形成されていて、 上記圧縮方向の複数の平面視細長形状の素子のうち、ダイヤフラムの輪郭を跨ぐ平面視細長形状の素子は、他の平面視細長形状の素子よりも面積が広く、かつ他の平面視細長形状の素子のアスペクト比と同一のアスペクト比に形成されていること、を特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (1件):
G01L 9/00
FI (1件):
G01L9/00 303E
Fターム (6件):
2F055AA40 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE13 ,  2F055FF11 ,  2F055GG16
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 特開昭56-133877号公報
  • 特開昭58-148467号公報
審査官引用 (6件)
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