特許

J-GLOBAL ID：200903080261886161

磁性体の磁化方向制御方法およびそれを利用した磁気デバイス

発明者： 奥野 志保 ,  猪俣 浩一郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-048383
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250331
出願日： 1995年03月08日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】外部から発生させた磁場を用いずに磁性体の磁化制御を行うことができる磁性体の磁化制御方法およびそのような磁化制御方法を利用した磁気デバイスを提供する。【構成】磁性薄膜1と、この磁性薄膜1に直接または中間層4を介して接した直接遷移型半導体2と、この直接遷移型半導体2に円偏光を照射する円偏光発生源3とにより磁気デバイスを構成する。そして、円偏光発生源3から直接遷移型半導体2に円偏光を照射することで、直接遷移型半導体2中に円偏光の偏光方向に基づく極性を持つスピン偏極電子を励起せしめ、このスピン偏極電子の極性により磁性薄膜1の磁化の向きを制御する。

請求項（抜粋）：

磁性体に直接または中間層を介して接した直接遷移型半導体に円偏光を照射することで、直接遷移型半導体中に円偏光の偏光方向に基づく極性を持つスピン偏極電子を励起せしめ、このスピン偏極電子の極性により前記磁性薄膜の磁化の向きを制御することを特徴とする磁性薄膜の磁化方向制御方法。

IPC (3件)：

H01F 10/28 ,  G11B 7/00 ,  G11B 11/10 506

FI (3件)：

H01F 10/28 ,  G11B 7/00 Q ,  G11B 11/10 506 Z