特許

J-GLOBAL ID：200903080263245104

不揮発性半導体装置

発明者： 渡部 浩 ,  有留 誠一 ,  清水 和裕
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-207181
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078542
出願日： 1994年08月31日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】本発明は、トンネル酸化膜の厚さを従来よりも薄くすることなしに、情報の書き込み/消去の際に印加するバイアスを低く抑えることができ、情報の書き込み/消去の速度を速くすることができる不揮発性半導体装置を提供することを目的とする。【構成】半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された浮遊ゲートと、前記浮遊ゲート上に絶縁膜を介して形成された制御ゲートとにより構成されており、電気的に情報の書き換えが可能であるメモリセルを複数配列してなるセルアレイを具備し、前記メモリセル領域に対応する前記半導体基板の少なくとも一部が凹凸形状を有していることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された浮遊ゲートと、前記浮遊ゲート上に絶縁膜を介して形成された制御ゲートとにより構成されており、電気的に情報の書き換えが可能であるメモリセルを複数配列してなるセルアレイを具備し、前記メモリセル領域に対応する前記半導体基板の少なくとも一部が凹凸形状を有していることを特徴とする不揮発性半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434