特許
J-GLOBAL ID:200903080275225311

半導体集積回路装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 筒井 大和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-232154
公開番号(公開出願番号):特開平6-216272
出願日: 1993年09月20日
公開日(公表日): 1994年08月05日
要約:
【要約】【目的】 超高速LSIを形成した半導体チップを搭載するパッケージ内の信号伝送線路の特性インピーダンス整合を図る。【構成】 パッケージ基板204の主面に形成した信号伝送線路203の一端を半導体チップ201の主面に形成したパッドの直下まで延在し、信号伝送線路203の一端と半導体チップ201のパッドとをバンプ電極を介して電気的に接続する。また、信号伝送線路203の他端をパッケージ基板204の主面の外周部に延在し、外部リード205を接合する。
請求項(抜粋):
所定の特性を有する伝送線路を形成したパッケージ基板の主面上に半導体チップをフェイスダウン方式で実装した半導体集積回路装置であって、前記伝送線路の一端を前記半導体チップの主面に形成した電極パッドの直下まで延在し、前記伝送線路の一端と前記電極パッドとを前記電極パッド上に形成したバンプ電極を介して電気的に接続すると共に、前記パッケージ基板の主面の外周部に延在した前記伝送線路の他端に外部リードを接合したことを特徴とする半導体集積回路装置。

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