薄膜製造方法および薄膜多層基板製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-334295
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202430
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】フォトレジストを用いたリソグラフィー工程の反復により、基板上に薄膜回路パターンを形成するための薄膜製造方法において、従来技術より高い信頼度で、薄膜形成時の欠陥を累積しないにようにし、かつ、その生じる欠陥の態様の特質を利用して、検査・修正工程で能率的に検査・修正をおこない、もって歩留まり高い薄膜製造方法を提供する。【構成】フォトレジストを用いたリソグラフィー工程の内の検査工程で、下地膜のエッチングをおこなう前に、レジストパターンを感光させることなく検査し、発見された欠陥部のうち、特に、不足系欠陥部を修正する。エッチング終了後、金属薄膜の検査・修正工程で、エッチング残りを対象とする検査を行い、エッチング残りがあればそれを除去修正する。

請求項（抜粋）：

フォトレジストを用いたリソグラフィー工程の反復により、基板上に薄膜回路パターンを形成するための薄膜製造方法において、(a1)配線となる金属薄膜上にフォトレジストを塗布する工程と、(a2)前記フォトレジストに対して露光・現像をおこない、レジストパターンを形成する工程と、(a3)前記(a2)の工程で形成された前記レジストパターンのイメージを光学的に検出するための照明手段および検知手段、ならびにその照明手段とその検知手段によって検出したレジストパターンのイメージを用いて欠陥部を認識する認識処理手段を具備する第一の検査装置を用いて検査し、前記レジストパターンの欠陥位置を指摘する工程と、(a4)前記(a3)の工程で指摘された前記レジストパターンの欠陥位置の情報に基づいて欠陥部を修正する工程と、(a5)前記(a4)の工程で修正の済んだ前記レジストパターンをマスクにして、前記金属薄膜をエッチングして金属薄膜パターンを形成する工程と、(a6)前記(a5)の工程で形成された前記金属薄膜パターンのイメージを光学的に検出するための照明手段および検知手段、ならびにその照明手段とその検知手段によって検出したパターンイメージを認識する認識処理手段を具備する第二の検査装置を用いて検査し、金属薄膜パターンの欠陥位置を指摘する工程と、(a7)前記(a6)の工程で指摘された前記金属薄膜パターンの欠陥位置情報に基づいて欠陥部を修正する工程とを有し、前記(a1)ないし前記(a7)の工程を、この順におこなうことを特徴とする薄膜製造方法。

IPC (7件)：

H05K 3/46 , C23F 1/00 , C23F 1/00 102 , H01L 21/3065 , H01L 21/66 , H05K 3/00 , H05K 3/06

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平2-121389
特開平4-102395
特開平2-094594

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