特許

J-GLOBAL ID：200903080279639137

単結晶の製造方法および製造装置

発明者： 山下 洋二 ,  牛沢 次三郎 ,  松村 禎夫 ,  進藤 勇 ,  木村 伸二
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  株式会社クリスタルシステム
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-051532
公開番号（公開出願番号）：特開2000-247782
出願日： 1999年02月26日
公開日（公表日）： 2000年09月12日
要約：

【要約】【課題】 引き上げ法での単結晶の製造において、(1) 引き上げ機の実質稼動率の向上による生産性の大幅向上、(2) 貴金属部材の寿命の大幅向上、耐火物部材の寿命の大幅向上、および冷却過程での単結晶のクラックフリー率の向上による製造コストの低減、をはかること。【解決手段】 第一育成炉1内で貴金属るつぼ5内に収容された単結晶原料の融液に種結晶を接触させて融液から単結晶を引き上げる際に、引き上げられた単結晶を第一育成炉内で保温炉に収容し、この状態で第二育成炉2に移動させ、ここで徐冷させる。貴金属るつぼ5には、実質的に第一育成炉1内の温度を低下させることなく単結晶原料を補給して溶融させ、次の単結晶引き上げを行う。

請求項（抜粋）：

高温の第1の領域内で貴金属るつぼ内に収容された単結晶原料の融液に種結晶を接触させて前記融液から単結晶を引き上げる工程と、前記引き上げられた単結晶を第1の領域内で可動の保温炉に収容する工程と、前記可動の保温炉に収容された単結晶を保温炉とともに前記第1の領域よりは温度が低く環境温度よりは温度の高い第2の領域に移動して徐冷する工程と、前記貴金属るつぼ内に前記第1の領域の温度を実質的に下げることなく単結晶原料を補給して溶融する工程とを有し、以上の工程を繰り返すことにより前記第1の領域の温度を実質的に下げることなく繰り返し単結晶の引き上げを行うことを特徴とする酸化物単結晶の製造方法。

Fターム (8件)：

4G077AA02 ,  4G077AA10 ,  4G077BC32 ,  4G077BC37 ,  4G077BD07 ,  4G077CF10 ,  4G077EG19 ,  4G077EG26