特許
J-GLOBAL ID：200903080283715999

シンクロナス整流器或いは電圧クランプ用の3端子パワーMOSFETスイッチ

発明者：
ウィリアムズ、リチャード・ケイ

ウィリアムズ、リチャード・ケイ について


出願人/特許権者：
シリコニックス・インコーポレイテッド

シリコニックス・インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 大島 陽一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-540909
公開番号（公開出願番号）：特表2000-512805
出願日： 1997年05月07日
公開日（公表日）： 2000年09月26日
要約：
【要約】ソース及びボディが互いに接続され、それに、ドレンよりは正のバイアス電圧によりバイアスされたものとしてN-チャネルパワーMOSFET(M2)を製造する。ゲートはスイッチ(1184)により制御され、ゲートを、ソース及び当該MOSFETのチャネルを完全にオンにするのに十分な電圧(VCP)のいずれか一方に選択的に接続する。ゲートがソースに接続されたとき、デバイスは、比較的低い電圧でオンし、従来のPN接合よりは低い導通抵抗を有する「擬似ショットキー」ダイオードとして機能する。ゲートが、前記した正の電圧に接続されたとき、MOSFETのチャネルは完全にオンとなる。このMOSFETスイッチは、パワー変換器に於けるシンクロナス整流器として適するもので、電力損及び“break-before-make”時間に於ける蓄積電荷を低減する。
請求項（抜粋）：
半導体デバイスであって、 第1の導電型のソース領域と、 前記ソース領域に隣接し、前記第1の導電型とは異なる第2の導電型のボディ領域と、 前記ボディ領域に隣接し、前記第1の導電型のドレン領域と、 前記ボディ領域のチャネル領域に対して絶縁層により分離されたゲートと、 前記ゲートを、前記ソース領域及び当該半導体デバイスを完全にオンにするのに十分な第3の電圧のいずれか一方に選択的に接続する第1のスイッチとを有し、 前記ソース領域及び前記ボディ領域が互いに接続され、かつ第1の電圧にバイアスされ、前記ドレン領域が、第2の電圧にバイアスされ、かつ前記第1及び第2の電圧が、前記ボディ領域と前記ドレン領域との間の接合を順バイアスするように定められことを特徴とする半導体デバイス。
IPC (6件)：
H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/861 ,  H02M 1/08 ,  H03K 17/695
FI (7件)：
H01L 27/08 102 A ,  H02M 1/08 Z ,  H01L 29/91 L ,  H03K 17/687 B ,  H01L 29/78 301 W ,  H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 652 B
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特表平7-506941
審査官引用 (3件)
  • 特表平7-506941
  • 特表平7-506941
  • 特表平7-506941

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