特許
J-GLOBAL ID：200903080289581978
半導体発光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-245553
公開番号（公開出願番号）：特開2002-064219
出願日： 1991年04月30日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：
【要約】【課題】 InGaAlPからなる発光部における電流分布を改善することができ、光取出し効率及び輝度の向上をはかる。【解決手段】 n-GaAs基板11上に、InGaAlP系材料からなり活性層13をn型のクラッド層12及びp型のクラッド層14で挟んだダブルヘテロ接合構造部(発光領域層)を設け、この発光領域層に対し基板11と反対側の面上の一部に形成された電極19以外の面上から光を取り出す半導体発光装置において、発光領域層と電極19との間に発光領域層側から、光取出し側電極19程度の大きさのn-InGaAlP電流阻止層16と、InGaAlP活性層13よりバンドギャップが大きいp-GaAlAs電流拡散層17とを形成するようにした。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板と、この基板上に形成され発光部となるInGaAlP層を有し、且つ基板と反対側が第2導電型層となる発光領域層と、この発光領域層上の中央部に島状に形成された第1導電型の電流阻止層と、この電流阻止層上及び該電流阻止層の周囲の発光領域層上に形成され、前記発光部よりもバンドギャップが大きく前記発光領域層の第2導電型層よりも抵抗率の小さな第2導電型のGaAlAs電流拡散層と、この電流拡散層上の前記電流阻止層と対向する位置に形成された光取出し側の電極とを具備してなることを特徴とする半導体発光装置。
Fターム (7件)：
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA36
, 5F041CB03
, 5F041CB36
