半導体力検出装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山道夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-206946
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055592
出願日： 2002年07月16日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：

【課題】感度の高い半導体力検出装置を提供する。【解決手段】梁状に加工した半導体薄膜としてInAs薄膜2を備え、InAs薄膜2によって形成される片持ち梁11の弾性的な変形を検出することにより、片持ち梁11に加わった微小な力を高感度に検出するメカニカルな半導体力検出装置である。InAs薄膜2は低次元量子構造を有し、この低次元量子構造に形成される電子の量子準位とフェルミ準位とのエネルギ差が、熱エネルギーと同等または小さくされている。片持ち梁11を構成する薄膜内に半導体低次元量子構造を用いることにより、極めて感度の高い半導体力検出装置を得ることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

梁状に加工した半導体薄膜、または、半導体薄膜と絶縁体薄膜あるいは金属薄膜を接合し、かつ梁状に加工した積層薄膜を備え、この半導体薄膜または積層薄膜によって形成される梁の弾性的な変形を検出することにより、この梁に加わった微小な力を検出するメカニカルな半導体力検出装置において、前記半導体薄膜、または前記積層薄膜を構成する前記半導体薄膜は、 2次元、1次元、または0次の低次元量子構造を有し、前記低次元量子構造に形成される電子の量子準位とフェルミ準位とのエネルギ差が、熱エネルギーと同等または小さいか、または、前記低次元量子構造に形成される電子の量子準位とフェルミ準位とのエネルギー差が、熱エネルギーと同等または小さくなるように、外部から加えられた電圧で制御されることを特徴とする半導体力検出装置。

IPC (4件)：

H01L29/84 , G01L1/18 , H01L29/06 , H01L29/66

FI (5件)：

H01L29/84 F , H01L29/84 A , G01L1/18 Z , H01L29/06 601Q , H01L29/66 S

Fターム (8件)：

4M112AA01 , 4M112BA02 , 4M112CA21 , 4M112CA22 , 4M112CA24 , 4M112DA07 , 4M112EA09 , 4M112FA01

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭62-185379
特開昭58-182276
特開昭60-210880

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