特許
J-GLOBAL ID：200903080295116683
大面積ガラス基板の冷却および加熱方法とそのための装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-008681
公開番号（公開出願番号）：特開平6-239635
出願日： 1994年01月28日
公開日（公表日）： 1994年08月30日
要約：
【要約】【目的】 基板の損傷や歪みを回避するようにガラス基板の均一な加熱および冷却を提供する。【構成】 薄膜プロセスに適したガラス基板32は、真空チャンバ内の放射加熱および冷却によってまとめてプロセス温度まで加熱されてプロセス後に冷却される。この加熱および/または冷却チャンバは加熱または冷却される伝導棚28を含んだカセット10を装備しており、この伝導棚28は支持部30上に設置されたガラス基板32により綴じ込まれているので、棚28と基板32との間には間隙が存在する。棚28が加熱および冷却をすると、ガラス基板32はこの棚28により放射加熱または冷却される。基板のプロセスのための真空システムは、基板上に1またはこれ以上の薄膜を堆積できる1度に1つずつの膜プロセスチャンバと本発明のチャンバとを組みあわせて使用する基板の一括型加熱部および冷却部を含んでいる。
請求項（抜粋）：
処理されるガラス基板に対する少なくとも1つの加熱または冷却チャンバを含む真空システムにおいて、a)前記チャンバ内の加熱または冷却カセット側壁部内を加熱または冷却する手段と、b)側壁部に接触した複数の熱伝導棚であって、前記棚へまたは前記棚から熱を伝導させるための熱伝導棚と、c)前記伝導棚上に設置された前記ガラス基板のための支持部であって、前記基板と前記棚との間に間隙を与え、前記ガラス基板の前記棚への直接接触を避ける支持部と、を備える真空システム。
IPC (4件)：
C03B 32/00
, C03B 25/02
, C03C 17/245
, C23C 16/46
