特許
J-GLOBAL ID:200903080295935870

磁気センサー

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-015014
公開番号(公開出願番号):特開平11-202036
出願日: 1998年01月08日
公開日(公表日): 1999年07月30日
要約:
【要約】【目的】小形でかつ強い磁界を発生する機器の近くでも使用することのできる磁気センサーを得る。【構成】磁気センサー1は容器6の内部に二つの永久磁石3A,3Bと共にホールIC2を収容している。磁石3A,3Bは互いに同極側を対向させ、鉄心4A,4Bによって磁束をホールIC2に集中させている。両磁石の中間部には両磁石を結ぶ直線方向の磁束を打ち消しあう釣り合い点を有する。補助鉄心5は磁石3Aの磁束分布を調整するものであり、ホールIC2の検知面に対する磁束の釣り合い点のオフセット量を調整する。【効果】予め周辺機器の発生する磁束密度と方向に応じてセンサー内の磁石による磁束の釣り合い点をホール素子の検知面から所定量オフセットさせておくことにより、電磁クラッチなどの近くでも磁気センサーを使用することができる。
請求項(抜粋):
保護対象機器またはその周辺機器が発生する磁束の通る磁気回路内に配置され、磁界発生用の磁石と磁電変換素子とを有し、前記磁気回路の磁束は磁電変換素子の検知面に於ける直交磁束成分を有し、磁性体の近接及び離隔による磁界の変化を検知する磁気センサーにおいて、前記磁石は磁電変換素子に対して充分に出力変化を行わせる強度の磁束を発生するものであり、該磁石は少なくとも2個で構成されるとともに前記磁電変換素子を検出方向に対して挟むように配置し且つ同極同士が向い合うように配置し、磁石間の磁電変換素子の検知面に於ける直交磁束成分密度がほぼ0になる磁束の釣り合い位置をあらかじめ磁電変換素子の位置から所定のオフセット量に設定し、保護対象機器の動作しているときに前記保護対象機器またはその周辺機器が発生する磁束は定常的なものであり、この磁束を合成することにより前記磁石間の磁束密度がほぼ0になる位置が磁電変換素子の検知面上若しくはその近傍に移動されるべく前記磁石の磁電変換素子に対する磁束の釣り合い位置に変更させるようにしたことを特徴とする磁気センサー。
IPC (4件):
G01R 33/07 ,  G01B 7/30 101 ,  G01D 5/14 ,  G01R 33/02
FI (4件):
G01R 33/06 H ,  G01B 7/30 101 A ,  G01D 5/14 G ,  G01R 33/02 Z

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