特許
J-GLOBAL ID：200903080299538698
薄膜トランジスタおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-304063
公開番号（公開出願番号）：特開平7-162001
出願日： 1993年12月03日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】【目的】 薄膜トランジスタの高い電界効果移動度を実現しながら、成膜所要時間を小さくする。【構成】 ゲート上に水素含有量の少ない第1のゲート絶縁膜6と、その上に水素含有量の多い第2のゲート絶縁膜7と、その上に低いデポレートで形成された界面準位の少ない第1の非晶質シリコン膜9と、その上に高速成膜された第2の非晶質シリコン膜10が形成された薄膜トランジスタ。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に形成されたゲート電極と、上記ゲート電極上に形成された第1のゲート絶縁膜と、上記第1のゲート絶縁膜上に形成された第2のゲート絶縁膜と、上記第2のゲート絶縁膜上に形成された非晶質シリコン膜とを有し、上記第1および第2のゲート絶縁膜を窒化珪素とし、上記第2の窒化珪素膜中の水素含有量が上記第1の窒化珪素膜中の水素含有量よりも多いことを特徴とする薄膜トランジスタ。
FI (3件)：
H01L 29/78 311 G
, H01L 29/78 311 N
, H01L 29/78 311 H
