特許
J-GLOBAL ID：200903080299552437
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
倉橋 暎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-228629
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176830
出願日： 1998年07月29日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：
【要約】【課題】 半導体表面にパッシベーション膜を形成することにより、P1dB劣化を抑制し安定した入出力電力特性を有し、更に、耐湿性の優れた電界効果トランジスタのような半導体装置を提供する。【解決手段】 表面にSiNHパッシベーション膜10を有する半導体装置1において、SiNHパッシベーション膜10は、(1)Nが20at%以上、41at%以下、(2)Si/Hが1.5以上、3.0以下、の組成とされる。
請求項（抜粋）：
表面にSiNHパッシベーション膜を有する半導体装置において、前記SiNHパッシベーション膜は、(1)Nが20at%以上、41at%以下、(2)Si/Hが1.5以上、3.0以下、の組成とされることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/318 B
, H01L 29/78 301 N
