特許

J-GLOBAL ID：200903080302941709

高純度Ti材および高純度Tiターゲット

発明者： 大西 隆 ,  吉村 泰徳 ,  岡本 節男 ,  原田 宗生 ,  福井 勝一 ,  大麻 隆彦 ,  前田 尚志
出願人/特許権者： 住友シチックス株式会社 ,  住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 生形 元重 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-185490
公開番号（公開出願番号）：特開平10-008245
出願日： 1996年06月25日
公開日（公表日）： 1998年01月13日
要約：

【要約】【課題】 サリサイドプロセスにより形成されるTiシリサイドの比抵抗を下げる。小さい比抵抗が得られるアニール温度幅を広げる。【解決手段】 シリサイド化前のTi膜をスパッタリングにより形成する際に、スパッタリングターゲットとして、Ti純度が99.999%以上で、且つ酸素含有量が200ppm以下である高純度低酸素のTi材を使用する。

請求項（抜粋）：

Ti純度が99.999%以上であり、且つ酸素含有量が200ppm以下であることを特徴とする高純度Ti材。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  C22B 34/12 103 ,  C23C 14/06

FI (3件)：

C23C 14/34 A ,  C22B 34/12 103 ,  C23C 14/06 E