特許

J-GLOBAL ID：200903080313874124

エピタキシヤル薄膜の形成方法

発明者： 細工藤 龍司 ,  小泉 等 ,  小林 直之 ,  米内 敏文 ,  宮下 正文
出願人/特許権者： 株式会社日本製鋼所
代理人 (1件)： 横井 幸喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-318672
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129203
出願日： 1991年11月07日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】 気相法による化合物のエピタキシャル薄膜の成長を能率よく行う。【構成】 気相を経由して基板に薄膜を形成する際に、はじめに低い温度で基板上にアモルファス状の膜を形成させ、その後、アモルファス膜を結晶化が起きる温度以上で短時間加熱してエピタキシャル成長させる。【効果】 基板上に、エピタキシャル薄膜を短時間で能率よく形成することができる。また、基板の加熱温度を低くでき、融点の低い材質の基板を使用することが可能になる。

請求項（抜粋）：

気相を経由して基板に薄膜を形成する際に、基板の温度を膜の結晶化が起きない温度以下に保って、基板上に構成元素からなるアモルファス状の膜を形成し、その後、アモルファス膜が結晶化する温度以上に加熱する熱処理を行って、アモルファス膜をエピタキシャル成長させることを特徴とするエピタキシャル薄膜の形成方法

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/324 ,  C30B 23/08

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-184347
  
• 特開昭64-048411
  
• 特開昭56-131934
  
• 特開昭51-115770